Para o circuito abaixo encontre a corrente do circuito, tensão no resistor e a potência dissipada pelo diodo de germânio. Considere a tensão da fonte de 25VCC e o diodo de germânio.

 

 

I = 0 mA        VR = 0V          Pd = 0 mW

I = 24 mA        VR = 24V          Pd = 24 mW

I = 24,7 mA         VR = 24,7V           Pd = 7,41 mW

I = 25 mA        VR = 25V          Pd = 0 mW

I = 24,3 mA        VR = 24,3V          Pd = 17 mW

A configuração abaixo caracteriza um transistor de junção bipolar de qual tipo?

NPN

SCR

PNP

JK

MOSFET

Dado VB = 4V para o circuito da figura abaixo, determine: 

(a) VE

(b) Ic

(c) Vc

(d) VCE

(e)IB

(f) Beta

(a)0V; (b)10mA; (c)0V; (d)16V; (e)100uA; (f)100;

(a)-5,5V; (b)4,05mA; (c)-15,5V; (d)-7,08V; (e)50,66uA; (f)225;

(a)3,3V; (b)-2,75mA; (c)11,95V; (d)8,65V; (e)-24,10uA; (f)114;

(a)5,5V; (b)4,05mA; (c)15,5V; (d)7,08V; (e)50,66uA; (f)225;

(a)3,3V; (b)2,75mA; (c)11,95V; (d)8,65V; (e)24,10uA; (f)114;

Para o circuito apresentado, quando S1 for acionado qual será o status das lâmpadas existentes no circuito ?

Acesas: L1 e L2  ;  Apagadas: L3, L4, L3 e L5

Acesas: L1, L2 e L5  ;  Apagadas: L4 e L3

Acesas: L1, L2, L3, L4 e L5  ;  Apagadas: Nenhuma lâmpada

Acesas: L1, L2, L3 e L5  ;  Apagadas: L4

Acesas: L1, L2, L4 e L5  ;  Apagadas: L3

Escolha a alternativa que complete a frase: "O Diodo Semicondutor de Silício pode ser aplicado em um circuito denominado Retificador, utilizado para converter tensão AC em tensão ___________;"

Variável

Senoidal

DC

Triangular

Pulsante alternada

Para o circuito mostrado a seguir, encontre os seguintes valores: Tensão de pico na carga (Vp RL), Tensão média na carga (Vmed RL),  Tensão reversa nos diodos (PIV), Frequencia do sinal na carga (Fs) e Corrente média nos diodos (Imed D). Considere os diodos de silício.

Vp RL =  41,03V  ;   Vmed RL = 26,12V   ;  PIV = 42,43V  ;   Fs =  60Hz   ;   Imed D =  41,03mA

Vp RL =  42,43V  ;   Vmed RL = 27,01V   ;  PIV = 42,43V  ;   Fs =  120Hz   ;   Imed D =  13,06mA

Vp RL =  41,03V  ;   Vmed RL = 26,12V   ;  PIV = 42,43V  ;   Fs =  120Hz   ;   Imed D =  13,06mA

Vp RL =  41,03V  ;   Vmed RL = 26,12V   ;  PIV = 42,43V  ;   Fs =  120Hz   ;   Imed D =  26,12mA

Vp RL =  30V  ;   Vmed RL = 27,01V   ;  PIV = 42,43V  ;   Fs =  60Hz   ;   Imed D =  13,06mA

Para o circuito abaixo responda: Qual é o cicuito apresentado? Qual é o valor da tensão RMS no secundário (Vrms sec)? Qual valor da tensão média na carga (Vmed RL)? Qual é a frequencia do sinal de saída (Fs)?

Retificador de onda completa em ponte  ;  Vrms sec = 12,7V  ;  Vmed RL = 5,27V  ;  Fs = 30Hz

Retificador de meia onda  ;  Vrms sec = 12,7V  ;  Vmed RL = 10,94V  ;  Fs = 120Hz

Retificador de onda completa com derivação central (Center Tap)  ;  Vrms sec = 127V  ;  Vmed RL = 5,27V  ;  Fs = 60Hz

Retificador de onda completa com derivação central (Center Tap)  ;  Vrms sec = 12,7V  ;  Vmed RL = 10,94V  ;  Fs = 60Hz

Retificador de onda completa com derivação central (Center Tap)  ;  Vrms sec = 12,7V  ;  Vmed RL = 5,27V  ;  Fsaída = 120Hz

Supondo que a corrente de coletor para base com emissor aberto vale 2 µA e que α = 0,996, escolha a alternativa que corresponda ao valor da corrente de coletor para emissor com a base aberta.

 

Iceo = 1mA

Iceo = 0,35mA

Iceo = 0,85mA

Iceo = 0,55mA

Iceo = 0,5mA

Como podemos descrever o processo realizado no cristal de silício, conforme imagem abaixo.

 

 

Processo de dopagem no cristal de silício, em que átomos de boro são utilizados para construir materiais tipo N e átimos de fósforo para construir materiais tipo P. Os eletróns são compartilhados entre dois átomos através de ligações covalente.

 

Processo de dopagem no cristal de silício, em que átomos de boro são utilizados para construir materiais tipo N e átimos de fósforo para construir materiais tipo P. Os eletróns são compartilhados entre dois átomos através de ligações moleculares.

 

Processo de dopagem no cristal de germânio, em que átomos de boro são utilizados para construir materiais tipo P e átimos de fósforo para construir materiais tipo N. Os eletróns são compartilhados entre dois átomos através de ligações nucleares.

 

Processo de dopagem no cristal de germânio, em que átomos de boro são utilizados para construir materiais tipo N e átimos de fósforo para construir materiais tipo P. Os eletróns são compartilhados entre dois átomos através de ligações covalente.

 

Processo de dopagem no cristal de silício, em que átomos de boro são utilizados para construir materiais tipo P e átimos de fósforo para construir materiais tipo N. Os eletróns são compartilhados entre dois átomos através de ligações covalente.

 

Escolha a alternativa que representa o ponto de operação do transistor no circuito abaixo:

 

 

VCE = 7,52V   /   Icq = 1,66mA

VCE = 7,52V   /   Icq = 1,80mA

VCE = 6,52V   /   Icq = 1,66mA

VCE = 5,52V   /   Icq = 1,60mA

VCE = 7,52V   /   Icq = 0,66mA