ELETRÔNICA ANALÓGICA I

Como podemos descrever o processo realizado no cristal de silício, conforme imagem abaixo.

 

 




  • Processo de dopagem no cristal de silício, em que átomos de boro são utilizados para construir materiais tipo N e átimos de fósforo para construir materiais tipo P. Os eletróns são compartilhados entre dois átomos através de ligações covalente.

     

  • Processo de dopagem no cristal de silício, em que átomos de boro são utilizados para construir materiais tipo N e átimos de fósforo para construir materiais tipo P. Os eletróns são compartilhados entre dois átomos através de ligações moleculares.

     

  • Processo de dopagem no cristal de germânio, em que átomos de boro são utilizados para construir materiais tipo P e átimos de fósforo para construir materiais tipo N. Os eletróns são compartilhados entre dois átomos através de ligações nucleares.

     

  • Processo de dopagem no cristal de germânio, em que átomos de boro são utilizados para construir materiais tipo N e átimos de fósforo para construir materiais tipo P. Os eletróns são compartilhados entre dois átomos através de ligações covalente.

     

  • Processo de dopagem no cristal de silício, em que átomos de boro são utilizados para construir materiais tipo P e átimos de fósforo para construir materiais tipo N. Os eletróns são compartilhados entre dois átomos através de ligações covalente.