ELETRÔNICA ANALÓGICA I


Ao realizar testes com um diodo de silício submetemos o componente a três situações de acordo com a imagem abaixo:

 

 

Podemos considerar as três condições como:

 


1ª Situação: Diodo conduzindo  /  2ª Situação: Diodo conduzindo  /  3ª Situação: Diodo não conduzindo


1ª Situação: Diodo conduzindo  /  2ª Situação: Diodo não conduzindo  /  3ª Situação: Diodo não conduzindo


1ª Situação: Diodo conduzindo  /  2ª Situação: Diodo não conduzindo  /  3ª Situação: Diodo conduzindo


1ª Situação: Diodo conduzindo  /  2ª Situação: Diodo não conduzindo  /  3ª Situação: Diodo conduzindo


1ª Situação: Diodo não conduzindo  /  2ª Situação: Diodo não conduzindo  /  3ª Situação: Diodo conduzindo

Um circuito retificador de onda completa com Center Tape possui uma tensão de pico na Carga de 40,7V. Sabendo-se que foram utilizados diodos de Germânio, qual é, aproximadamente, a tensão eficaz no secundário do transformador. Escolha a alternativa correta.


41,3V


82,6V


57,9V


62V


115,07V

A retificação de onda onda completa monofásica pode ser realizada de 2 formas: através da retificação com transformador com derivação central e através de uma ponte retificadora. Podemos concluir que existem algumas diferenças entre os dois métodos de retificação. Dentre as afirmações abaixo, assinale a alternativa falsa.


Nos dois processo de retificação (ponte e Tap central) o sinal retificado será um sinal de onda completa com frequencia de 120Hz.


Na retificação em ponte, utiliza-se quadro diodos e já na retificação de Tap Central utiliza-se apenas 2 diodos


Na retificação de onda completa com derivação central, a tensão reversa nos diodos será 2 vezes a tensão aplicada na carga, isto é, será a tensão total do enrolamento secundário (PIV = Vsec), visto que nesta configuração temos em cada semicilco apenas a metade da tensão do enrolamento secundário aplicado na carga.


A retificação em ponte tem como vantagem a utilização de um transformador com secundário sem derivação central e a tensão reversa nos diodos será apenas a tensão do enrolamento secundário.


A retificação com derivação central ou Tap central, utiliza dois diodo para retificação, provocando uma queda de tensão de 1,4V por semiciclo, se considerarmos os dois diodos de silício.

Considerando as afirmações:

 

(1) Um transistor bipolar de junção é composto por 3 terminais( base, coletor e emissor) e duas junções (coletor-base e emissor-base).

(2) O transistor bipolar pode operar em três modos: ativo (active), corte (cutoff) e saturação (saturation).

(3) O transistor pode ser utilizado como uma chave eletrônica operando no modo ativo, e também como um amplificador operando nos modos de saturação e corte.

(4) Os transistores NPN são utilizados em aplicações de baixa potência e os transistores PNP são utilizados exclusivamente em aplicações de potência.

 

Podemos classificar com verdadeiras

 


todas as afirmações.


apenas a afirmação 1.


as afirmações 1 e 2.


as afirmações 1, 2 e 3.


as afirmações 2, 3 e 4.

(a) Determine o valor de IC e VCE para o circuito da figura abaixo.

(b) Altere o valor de Beta para 135 (50% de aumento) e calcule os novos níveis de IC e VCE.

(c) Determine o valor da variação percentual de IC e VCE utilizando as seguintes equações:

 


(a) -90,9uA e -5,46V (b) -98,2uA e -4,12V (c) 8,07% e 24,54%


(a) 909uA e 5,46V (b) 982uA e 4,12V (c) 8,07% e 24,54% 


(a) 90,9uA e 5,46V (b) 98,2uA e 4,12V (c) 8,07% e 24,54% 


(a) -909uA e -5,46V (b) -982uA e -4,12V (c) 8,07% e 24,54% 


(a) 0uA e 5,46V (b) 0uA e 4,12V (c) 0% e 24,54%

Analise o circuito a seguir.

 

 


Base comum.


Coletor comum.


Emissor comum.


Seguidor de emissor.


Push-Pull.

Calcule o valor da corrente do circuito e da potência dissipada pelo resistor R2. Considere a análise do circuito em regime permanente, D1 de germânio, D2 de silício e Vled = 2V.

 

 


I = 3 mA      PR2 = 45 mW


I = 2,88 mA      PR2 = 41,32 mW


I = 0 mA      PR2 = 0 mW


I = 2,75 mA      PR2 = 37,81 mW


I = 2,63 mA      PR2 = 34,45 mW

Calcule o valor da corrente direta em um diodo (Id), de acordo com as seguintes condições:

 

Is = 30 nA   Corrente saturação reversa

n = 2   Fator de Idealidade

Vd = 0,6V   Tensão direta no diodo 

T = 30ºC   Temperatura 

K = 1,38 x 10-23 J/K    Constante de Boltzmann

q = 1,6 x 10-19 C    Carga elétrica elementar

 


Id = 5,8 mA


Id = 281,48 A


Id = 2,9 mA


Id = 6,76 x 1042A


Id = 30 nA

Dado o circuito abaixo responda:

(a)    Dado Pmáx = 14 mW para cada diodo da figura abaixo, determine a corrente máxima nominal de cada diodo (utilizando o modelo equivalente aproximado). 

(b)   Determine Imáx para Vimáx = 160V. 

(c)    Determine a corrente através de cada diodo para Vimáx utilizando os resultados do item (b). 

(d)   Se apenas um diodo estivesse presente, determine qual seria a corrente dele e compare com o valor máximo nominal. 


(a) 25mA; (b) 45,76 mA; (c) 18,82 mA; (d) Seria 45,76 mA maior que 25 mA


(a) 10mA; (b) 17,27 mA; (c) 9,82 mA; (d) Seria 17,27 mA maior que 10 mA


(a) 20mA; (b) 36,74 mA; (c) 18,37 mA; (d) Seria 18,37mA menor que 20 mA


(a) 10mA; (b) 17,27 mA; (c) 9,82 mA; (d) Seria 34,54 mA maior que 10 mA


(a) 20mA; (b) 36,74 mA; (c) 18,37 mA; (d) Seria 36,74 mA maior que 20 mA

Dado o circuito abaixo responda:

(a)    Determine o valor médio (cc) de saída para o circuito da figura abaixo. 

(b)   Repita o item (a) se o diodo ideal for substituído por um diodo de silício.

(c)    Repita os itens (a) e (b) se Vm for aumentada para 250V em duas situações. Uma considerando a queda do diodo e outra não. Compare os resultados.


(a)12,72 V; (b) 12,5 V; (c) 79,5 V (I) aproximadamente 79,28 V (II)


(a)-12,72 V; (b) -12,5 V; (c) -79,5 V (I) aproximadamente -79,3 V (II)


(a)-8,09 V; (b) -25 V; (c) -250 V (I) aproximadamente -249,3 V (II)


(a)-8,09 V; (b) -25 V; (c) -159 V (I) aproximadamente -158,55 V (II)


(a)-12,72 V; (b) -12,5 V; (c) -250V (I) aproximadamente -249,3 V (II)