Considere as afirmações abaixo:

 

(1) O diodo semicondutor é formado pela união de dois materiais extrínsecos apresentados, um do tipo P e outro do tipo N.

(2) Após o processo de dopagem do semicondutor com uma impureza constituída de átomos trivalentes, o material passa a ser chamado de material tipo P.

(3) O diodo semicondutor não sofre os efeitos da temperatura, mantendo sua corrente na polarização direta e reversa sempre constante, de acordo com o ponto de operação.

(4) Na junção dos dois materiais existe uma região de depleção, formada pela combinação de elétrons e lacunas, oferecendo uma barreira de potencial elétrico de aproximadamente 0,7V para diodos de silício.

 

 Diante das afirmações apresentadas acima, podemos classificar como verdadeiras:

 

• Todas as afirmações.
• As afirmações 2 e 4.
• As afirmações 1 e 2.
• As afirmações 1, 2 e 4.
• As afirmações 1 e 4.