ELETRÔNICA ANALÓGICA I


Observe o gráfico abaixo e escolha a alternativa que contempla a região em que o TJB pode trabalhar como saturação.


quando Ib = 50uA
quando VCE > 20V
quando VCE = 10V
quando Ib = 0 uA
quando VCE < 2V

Os três materiais semicondutores utilizados comercialmente para construção de dispositivos semicondutores são: Germânio (Ge), Silício (Si) e Arsenieto de Gálio (GaAs). Se analisarmos a tensão de joelho (Barreira de potencial) dos diodos construídos utilizando estes materiais, percebemos que cada material oferece uma queda de tensão quando o diodo é polarizado diretamente. Marque a opção que representa a tensão Vk (Tensão de joelho) para cada material:


Silício Vk = 0,7V ;  Germânio Vk = 0,3V ; Arsenieto de Gálio Vk = 1,1V 
Silício Vk = 0,7V ;  Germânio Vk = 1V ; Arsenieto de Gálio Vk = 1V 
Silício Vk = 0,3V ;  Germânio Vk = 0,5V ; Arsenieto de Gálio Vk = 1V 
Silício Vk = 0,7V ;  Germânio Vk = 1,2V ; Arsenieto de Gálio Vk = 1V 
Silício Vk = 0,7V ;  Germânio Vk = 0,3V ; Arsenieto de Gálio Vk = 1,2V 

Considerando o circuito apresentado, calcule o valor da corrente do circuito e da tensão no resistor R1. Considere D1 de germânio e D2 de silício.

 

 


I = 5,66 mA      VR1 = 5,66V
I = 4,33 mA      VR1 = 4,33V
I = 6 mA      VR1 = 6V
I = 4,66 mA      VR1 = 4,66V
I = 3,33 mA      VR1 = 3,33V

Escolha a alternativa que completa a frase a seguir: "A pastilha semicondutora de silício do tipo N passou pelo processo de dopagem eletrônica com átomos_________________"


Pentavalentes
Trivalentes
Tetravalentes
Polivantes
Nenhuma das Anteriores

Considerando o circuito abaixo, escolha a alternativa que representa o valor de VCE:


4V
7V
8V
12V
4,5V

Considerando o modelo simplificado do diodo, determine as correntes ID para os circuitos mostrados na figura abaixo.


(a) 0 mA (b) 0 mA
(a) - 2,053mA (b) - 8,77mA
(a) 2,053mA (b) 8,77mA
(a) 4,063mA (b) 2,55mA
(a) - 2,053mA (b) - 4,23mA

Dado o circuito abaixo responda:

(a)    Determine o valor médio (cc) de saída para o circuito da figura abaixo.

(b)   Repita o item (a) se o diodo ideal for substituído por um diodo de silício.

(c)    Repita os itens (a) e (b) se Vp (Tensão de pico) for aumentada para 150V em duas situações. Uma considerando a queda do diodo e outra não. Compare os resultados.


(a) -19,08 V; (b) -18,635 V; (c) -95,4 V (I) aproximadamente -94,95 V (II)
(a) -30 V; (b) -29,3 V; (c) -47,7 V (I) aproximadamente -47,48 V (II)
(a) 9,54 V; (b) 9,32 V; (c) 47,7 V (I) aproximadamente 47,48 V (II)
(a) -9,54 V; (b) -9,32 V; (c) -47,7 V (I) aproximadamente -47,48 V (II)
(a) -9,54 V; (b) -9,32 V; (c) -150 V (I) aproximadamente -149,3 V (II)

Escolha a alternativa que possui a palavra cujo significado é a frase a seguir: "É todo material que possui uma rede cristalina pura, de somente um tipo de átomo, e suas ligações são covalentes e não possuem elétrons livres na camada de valência, ou seja, não passou pelo processo de dopagem"


Semicondutor
Intrínseco
Dopado
Silício
Extrínseco

Considere uma fonte de 9VDC ligada a  um circuito série com 5 diodos de silício polarizados diretamente e, posteriormente, uma resistência de 1k Ohms. Qual a tensão aplicada sobre essa resistência?


5,5V
5,0V
7,5V
4,5V
3,3V

O transistor bipolar de junção é um dos dispositivos eletrônicos mais empregados em circuitos amplificadores e em circuitos de chaveamento. Tendo o seu circuito de polarização como o mais estudado pois a partir da sua polarização temos sua aplicação mais útil, dentre os muitos circuitos de polarização citamos aqui os principais. Polarização da base, Polarização do Emissor, Polarização por Divisor de Tensão, Polarização do Emissor com Fonte Dupla. O modelo Matemático a seguir representa qual tipo de Polarização das aqui mencionadas.

 

 


Polarização da Base.
Polarização do Emissor.
Polarização por Fonte Simétrica
Polarização por Emissor com fonte dupla.
Polarização por Divisor de Tensão.